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Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Miranda, C. R., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues et al. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, C R; Antonelli, A; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts II (Poster). Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
MIRANDA, C R et al. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes (2003)
Baierle, Rogério José; Schmidt, Tomé Mauro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
BAIERLE, Rogério José e SCHMIDT, Tomé Mauro e FAZZIO, Adalberto. Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2003). Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Artigo de periodico
Theoretical study of native defects in BN nanotubes (2003)
Schmidt, T M; Baierle, Rogerio Jose; Piquini, P; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, POLÍMEROS (MATERIAIS), ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, CRISTALOGRAFIA
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Theoretical study of native defects in BN nanotubes. Physical Review, v. 67, n. 11, p. 113407/1-113407/4, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Schmidt, T. M., Baierle, R. J., Piquini, P., & Fazzio, A. (2003). Theoretical study of native defects in BN nanotubes. Physical Review, 67( 11), 113407/1-113407/4. doi:10.1103/physrevb.67.113407
NLM
Schmidt TM, Baierle RJ, Piquini P, Fazzio A. Theoretical study of native defects in BN nanotubes [Internet]. Physical Review. 2003 ; 67( 11): 113407/1-113407/4.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407
Vancouver
Schmidt TM, Baierle RJ, Piquini P, Fazzio A. Theoretical study of native defects in BN nanotubes [Internet]. Physical Review. 2003 ; 67( 11): 113407/1-113407/4.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407
Artigo de periodico
Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2003)
Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, R H e VENEZUELA, P e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Physical Review B, v. 67, n. 20, p. 205317/1-205317, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2003). Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Physical Review B, 67( 20), 205317/1-205317. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips
NLM
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205317/1-205317.[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips
Vancouver
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205317/1-205317.[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Theoretical investigation of a possible 'Mn IND. x''Si IND. 1-x' ferromagnetic semiconductor (2003)
Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
DALPIAN, G M e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of a possible 'Mn IND. x''Si IND. 1-x' ferromagnetic semiconductor. Physical Review B, v. 68, n. 11, p. 113310/1-113310/4, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011113310000001&idtype=cvips. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Theoretical investigation of a possible 'Mn IND. x''Si IND. 1-x' ferromagnetic semiconductor. Physical Review B, 68( 11), 113310/1-113310/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011113310000001&idtype=cvips
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a possible 'Mn IND. x''Si IND. 1-x' ferromagnetic semiconductor [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 11): 113310/1-113310/4.[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011113310000001&idtype=cvips
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a possible 'Mn IND. x''Si IND. 1-x' ferromagnetic semiconductor [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 11): 113310/1-113310/4.[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011113310000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films (2003)
Scopel, Wanderla Luis ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Orellana, Walter M; Prado, Rogerio Junqueira; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Fazzio, Adalberto ; Pereyra, Inés
Source: Physical Review B. Unidades: IF, EP
Subjects: ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), MÉTODO DE MONTE CARLO
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ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films. Physical Review B, v. 68, n. 15, p. 155332/1-155332/6, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155332. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, Orellana, W. M., Prado, R. J., Fantini, M. C. de A., Fazzio, A., & Pereyra, I. (2003). Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films. Physical Review B, 68( 15), 155332/1-155332/6. doi:10.1103/physrevb.68.155332
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Orellana WM, Prado RJ, Fantini MC de A, Fazzio A, Pereyra I. Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 15): 155332/1-155332/6.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155332
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Orellana WM, Prado RJ, Fantini MC de A, Fazzio A, Pereyra I. Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 15): 155332/1-155332/6.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155332
Trabalho de evento-resumo
The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si (2003)
Schmidt, T M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts II (Poster). Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SCHMIDT, T M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Trabalho de evento-resumo
The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si (2003)
Schmidt, Tomé M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, Tomé M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of the amorphous 'HFO IND.2' (2003)
Scopel, Wanderlã Luis; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Simpósio Brasileiro de Química Teórica, XII. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SCOPEL, Wanderlã Luis e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Structural and electronic properties of the amorphous 'HFO IND.2'. 2003, Anais.. Campinas: UNICAMP, 2003. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Structural and electronic properties of the amorphous 'HFO IND.2'. In Livro de Resumos. Campinas: UNICAMP.
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Structural and electronic properties of the amorphous 'HFO IND.2'. Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Structural and electronic properties of the amorphous 'HFO IND.2'. Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2003)
Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e VENEZUELA, P e FAZZIO, Adalberto. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2003). Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Artigo de periodico
Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom (2003)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, OXIDAÇÃO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom. Physical Review Letters, v. 90, n. 1, p. 016103/1-016103/4, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom. Physical Review Letters, 90( 1), 016103/1-016103/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 90( 1): 016103/1-016103/4.[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 90( 1): 016103/1-016103/4.[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
On the nature of Mn in semiconductors (2003)
Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto. On the nature of Mn in semiconductors. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Fazzio, A. (2003). On the nature of Mn in semiconductors. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fazzio A. On the nature of Mn in semiconductors. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Fazzio A. On the nature of Mn in semiconductors. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Relatorio tecnico
On nature of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Santos, Raimundo R dos; Oliveira, Luiz E
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. On nature of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0307/0307714.pdf. Acesso em: 20 maio 2024. , 2003
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2003). On nature of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0307/0307714.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. On nature of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0307/0307714.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. On nature of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0307/0307714.pdf
Trabalho de evento-resumo
Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface (2003)
Dalpian, G. M.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts II (Poster). Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties (2003)
Dalpian, G. M.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Artigo de periodico
Functionalization of carbon nanotubes through the chemical binding of atoms and molecules (2003)
Fagan, Solange B; Silva, Antonio Jose Roque da; Mota, R; Baierle, Rogerio Jose; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange B et al. Functionalization of carbon nanotubes through the chemical binding of atoms and molecules. Physical Review B, v. 67, n. 3, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.033405. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Fagan, S. B., Silva, A. J. R. da, Mota, R., Baierle, R. J., & Fazzio, A. (2003). Functionalization of carbon nanotubes through the chemical binding of atoms and molecules. Physical Review B, 67( 3). doi:10.1103/physrevb.67.033405
NLM
Fagan SB, Silva AJR da, Mota R, Baierle RJ, Fazzio A. Functionalization of carbon nanotubes through the chemical binding of atoms and molecules [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 3):[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.033405
Vancouver
Fagan SB, Silva AJR da, Mota R, Baierle RJ, Fazzio A. Functionalization of carbon nanotubes through the chemical binding of atoms and molecules [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 3):[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.033405
Trabalho de evento-resumo
First-principles study of transition metal atoms interacting with single-wall carbon nanotubes (2003)
Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da; Fagan, Solange B; Mota, Ronaldo
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. First-principles study of transition metal atoms interacting with single-wall carbon nanotubes. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, Fagan, S. B., & Mota, R. (2003). First-principles study of transition metal atoms interacting with single-wall carbon nanotubes. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Fazzio A, Silva AJR da, Fagan SB, Mota R. First-principles study of transition metal atoms interacting with single-wall carbon nanotubes. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Fazzio A, Silva AJR da, Fagan SB, Mota R. First-principles study of transition metal atoms interacting with single-wall carbon nanotubes. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Trabalho de evento-resumo
First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Santos, R R dos; Oliveira, L E
Source: Books Abstracts I (Oral). Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2003). First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. In Books Abstracts I (Oral). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. Books Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. Books Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2024 maio 20 ]

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